Tìm kiếm: - Có 2359 sản phẩm

Hỗ trợ Socket: Intel LGA1851/1700/1200/115x, AMD AM5/AM4

Chất liệu tản nhiệt: Radiator: Nhôm, Mặt tiếp xúc: Đồng

Số lượng quạt: 3 | Kích thước quạt: 120 x 120 x 25mm | LED quạt: Addressable RGB

Tốc độ quạt: 600~2400 RPM ±10% | Airflow: 72.04 CFM | Độ ồn quạt: ≤38.71 dB(A)

Tốc độ bơm: 3400 RPM ±10% | Chiều dài ống dẫn: 410mm

Màn hình hiển thị: TFT LCD, 2.83 inch, 480×640, Có thể xoay theo chiều ngang

Hỗ trợ đồng bộ LED với hầu hết các bo mạch chủ của các hãng

Dung lượng: 4TB

Kích thước: M.2 2280

Giao diện: PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0

Tốc độ đọc / ghi tuần tự tối đa: 14.800 / 13.400 MB/s

Tốc độ đọc / ghi ngẫu nhiên tối đa (4K): 2.200K / 2.600K IOPs

NAND: Samsung V-NAND TLC | Bộ nhớ Cache: Samsung 1GB Low Power DDR4X SDRAM

Độ bền (TBW): 2400 TB

Phần mềm quản lý: Samsung Magician

Dung lượng: 2TB

Kích thước: M.2 2280

Giao diện: PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0

Tốc độ đọc / ghi tuần tự tối đa: 14.700 / 13.400 MB/s

Tốc độ đọc / ghi ngẫu nhiên tối đa (4K): 1.850K / 2.600K IOPs

NAND: Samsung V-NAND TLC | Bộ nhớ Cache: Samsung 1GB Low Power DDR4X SDRAM

Độ bền (TBW): 1200 TB

Phần mềm quản lý: Samsung Magician

Dung lượng: 7.68TB

Kích cỡ: U.2 2.5-inch 7mmT

Chuẩn giao tiếp: U.2 PCIe 4.0 x4, NVMe 1.4

Tốc độ đọc / ghi ngẫu nhiên: Lên đến 6700 / 4000 MB/s

Tốc độ đọc /  ghi ngẫu nhiên (Random 4K): Lên đến 1.100K / 200K IOPs

Độ bền (TBW): 14.016 TB

NAND: Samsung V-NAND TLC thế hệ thứ 6

Bảo mật mã hóa AES-XTS 256-bit  dựa trên phần cứng và quản lý thông qua tiêu chuẩn TCG Opal 2.0

Ngăn ngừa hỏng dữ liệu trong trường hợp mất điện với tính năng bảo vệ mất điện

Trang bị DRAM Cache tối ưu tốc độ đọc ghi khi hoạt động trong thời gian dài

Quản lý và khai thác tối đa hiệu suất ổ cứng với phần mềm Samsung SSD Toolkit tiên tiến

Phù hợp cho các hệ thống máy chủ

Dung lượng: 3.84TB

Kích cỡ: U.2 2.5-inch 7mmT

Chuẩn giao tiếp: U.2 PCIe 4.0 x4, NVMe 1.4

Tốc độ đọc / ghi ngẫu nhiên: Lên đến 6900 / 4100 MB/s

Tốc độ đọc /  ghi ngẫu nhiên (Random 4K): Lên đến 1.000K / 180K IOPs

Độ bền (TBW): 7008 TB

NAND: Samsung V-NAND TLC thế hệ thứ 6

Bảo mật mã hóa AES-XTS 256-bit  dựa trên phần cứng và quản lý thông qua tiêu chuẩn TCG Opal 2.0

Ngăn ngừa hỏng dữ liệu trong trường hợp mất điện với tính năng bảo vệ mất điện

Trang bị DRAM Cache tối ưu tốc độ đọc ghi khi hoạt động trong thời gian dài

Quản lý và khai thác tối đa hiệu suất ổ cứng với phần mềm Samsung SSD Toolkit tiên tiến

Phù hợp cho các hệ thống máy chủ

Dung lượng: 1.92TB

Kích cỡ: U.2 2.5-inch 7mmT

Chuẩn giao tiếp: U.2 PCIe 4.0 x4, NVMe 1.4

Tốc độ đọc / ghi ngẫu nhiên: Lên đến 6800 / 2700 MB/s

Tốc độ đọc /  ghi ngẫu nhiên (Random 4K): Lên đến 850K / 130K IOPs

Độ bền (TBW): 3504 TB

NAND: Samsung V-NAND TLC thế hệ thứ 6

Bảo mật mã hóa AES-XTS 256-bit  dựa trên phần cứng và quản lý thông qua tiêu chuẩn TCG Opal 2.0

Ngăn ngừa hỏng dữ liệu trong trường hợp mất điện với tính năng bảo vệ mất điện

Trang bị DRAM Cache tối ưu tốc độ đọc ghi khi hoạt động trong thời gian dài

Quản lý và khai thác tối đa hiệu suất ổ cứng với phần mềm Samsung SSD Toolkit tiên tiến

Phù hợp cho các hệ thống máy chủ

Dung lượng: 960GB

Kích cỡ: U.2 2.5-inch 7mmT

Chuẩn giao tiếp: U.2 PCIe 4.0 x4, NVMe 1.4

Tốc độ đọc / ghi ngẫu nhiên: Lên đến 6500 / 1500 MB/s

Tốc độ đọc /  ghi ngẫu nhiên (Random 4K): Lên đến  580K / 70K IOPs

Độ bền (TBW): 1752 TB

NAND: Samsung V-NAND TLC thế hệ thứ 6

Bảo mật mã hóa AES-XTS 256-bit  dựa trên phần cứng và quản lý thông qua tiêu chuẩn TCG Opal 2.0

Ngăn ngừa hỏng dữ liệu trong trường hợp mất điện với tính năng bảo vệ mất điện

Trang bị DRAM Cache tối ưu tốc độ đọc ghi khi hoạt động trong thời gian dài

Quản lý và khai thác tối đa hiệu suất ổ cứng với phần mềm Samsung SSD Toolkit tiên tiến

Phù hợp cho các hệ thống máy chủ

Dung lượng: 7.68TB

Chuẩn giao tiếp: SATA III (6Gb/s) | Kích thước: 2.5 inch

Tốc độ đọc / ghi tuần tự: Lên đến 550 / 520MB/s

Tốc độ đọc / ghi ngẫu nhiên (Random 4K): Lên đến 98k/30k IOPs

NAND: Samsung V-NAND TLC

Độ bền (TBW): 14016 TB

Hỗ trợ TRIM và SMART. Hỗ trợ bảo mật mã hoá AES 256-bit (Class 0)

Hoạt động êm ái và chống rung

Phù hợp cho các máy tính doanh nghiệp, máy chủ, máy trạm

Dung lượng: 3.84TB

Chuẩn giao tiếp: SATA III (6Gb/s) | Kích thước: 2.5 inch

Tốc độ đọc / ghi tuần tự: Lên đến 550 / 520MB/s

Tốc độ đọc / ghi ngẫu nhiên (Random 4K): Lên đến 98k/30k IOPs

NAND: Samsung V-NAND TLC

Độ bền (TBW): 7008 TB

Hỗ trợ TRIM và SMART. Hỗ trợ bảo mật mã hoá AES 256-bit (Class 0)

Hoạt động êm ái và chống rung

Phù hợp cho các máy tính doanh nghiệp, máy chủ, máy trạm

Dung lượng: 1.92TB

Chuẩn giao tiếp: SATA III (6Gb/s) | Kích thước: 2.5 inch

Tốc độ đọc / ghi tuần tự: Lên đến 550 / 520MB/s

Tốc độ đọc / ghi ngẫu nhiên (Random 4K): Lên đến 98k/30k IOPs

NAND: Samsung V-NAND TLC

Độ bền (TBW): 3504 TB

Hỗ trợ TRIM và SMART. Hỗ trợ bảo mật mã hoá AES 256-bit (Class 0)

Hoạt động êm ái và chống rung

Phù hợp cho các máy tính doanh nghiệp, máy chủ, máy trạm

Loại thẻ nhớ: SDXC. Dung lượng: 512GB

Chuẩn tốc độ thẻ: UHS-II, U3, V60

Tốc độ đọc tối đa: 280 MB/s

Tốc độ ghi tối đa: 205 MB/s

Chuyên dụng cho máy ảnh DSLR, Mirrorless. Hỗ trợ chụp và quay video lên đến 4K

Có khả năng chống nước, chống sốc, chống tia X và chịu được nhiệt độ khắc nghiệt

Tương thích ngược với thiết bị UHS-I ở tốc độ cao nhất