Tìm kiếm: - Có 19 sản phẩm

Dòng SSD M.2 NVME tầm trung của Samsung

Tốc độ đọc: 3500 Mb/s

Tốc độ ghi: 3000 Mb/s

Dung lượng: 1TBGB

Kết nối: M.2 PCIe Gen 3 x

Dung lượng: 2TB

Giao diện: NVMe 1.4, PCIe Gen4x4

Tốc độ đọc/ghi tuần tự: Lên đến 7000/6000 MB/s

Tốc độ đọc/ghi ngẫu nhiên: Lên đến 800K/600K IOPS

NAND: 3D NAND

TBW: 600 TB

Dung lượng: 1TB

Kích thước: 2.5 inch

Chuẩn giao tiếp: SATA III 6Gb/s

Tốc độ đọc: 560 Mb/s

Tốc độ ghi: 530 Mb/s

Dung lượng: 1TB

Kích thước: M.2 2280

Chuẩn giao tiếp: NVMe 2.0, PCIe Gen 4x4

Tốc độ đọc/ghi tuần tự: Lên đến 7.450 / 6.900 MB/s

Tốc độ đọc/ghi ngẫu nhiên (4KB, QD32): Lên đến 1.200.000 / 1.550.000 IOPS

NAND: Samsung V-NAND TLC

Độ bền (TBW): 600 TB

Phần mềm: Samsung Magician

Dung lượng: 1TB

Giao diện: PCIe Gen4x4, NVMe 1.4

Kích thước: M.2 2280

Tốc độ đọc / ghi tuần tự tối đa: 7400 / 6000 MB/s

Tốc độ đọc / ghi ngẫu nhiên tối đa (Random 4K): 750K / 1,000K

NAND: 3D NAND | DRAM Cache: 1GB DDR4

Độ bền (TBW): 700TB

Chuẩn giao tiếp: NVMe PCIe Gen4x4

Kích thước: M.2 2280

Tốc độ đọc: up to 7000 MB/giây, Ghi tối đa 6000 MB/giây

NAND: 3D TLC, Bộ điều khiển Phison E18

TBW: 800TBW

Dung lượng: 2TB

Giao diện: NVMe 1.4, PCIe Gen4x4

Tốc độ đọc/ghi tuần tự: Lên đến 7000/6000 MB/s

Tốc độ đọc/ghi ngẫu nhiên: Lên đến 800K/600K IOPS

NAND: 3D NAND

TBW: 1200 TB

Dung lượng: 1TB

Kích thước: M.2 2280

Giao diện: NVMe PCIe Gen 4x4

Tốc độ đọc/ghi tuần tự: Up to 5300/4500 MB/s

Tốc độ đọc/Ghi ngẫu nhiên: 440k/900k IOPS

NAND: 3D TLC

TBW: 1000TB

Hiệu suất vượt trội với tốc độ đọc/ghi tuần tự lên đến 7400/6500 MB/s, TBW lên đến 1500 TB

Nhanh hơn gấp 2 lần so với SSD PCIe Gen 3

Tiêu thụ điện năng ít hơn tới 40% so với SSD PCIe Gen 4 hỗ trợ bộ nhớ đệm trên DRAM

Công nghệ Bộ nhớ đệm máy chủ (HMB) 3.0 kích hoạt chức năng bộ đệm DRAM của thiết bị để có tốc độ truyền mượt mà hơn và hiệu suất liền mạch

Phiên bản đi kèm tản nhiệt đảm bảo cho SSD luôn hoạt động mát mẻ, hiệu suất cao

Tương thích với PlayStation 5

Dung lượng: 2 TB

Kích thước: M.2 2280

Giao diện: NVMe PCIe Gen4x4

Tốc độ đọc/ghi tuần tự tối đa: Lên đến 6.000/4.000 MB/s

NAND: 3D

TBW: 640 TB. Tuổi thọ trung bình: 2.000.000 giờ

Dung lượng: 1TB

Kích thước: M.2 2280

Chuẩn giao tiếp: NVMe PCIe Gen4x4

Tốc đọc/ghi tuần tự: Up to 4150/4150 MB/s

Tốc độ đọc/ghi ngẫu nhiên 4K: 600K/750K IOPS

NAND: WDC TLC

TBW: 600 TB

Chuẩn giao tiếp: M.2 NVMe PCIe

Dung lượng: 1TB

Tốc độ đọc: 2400MB/s

Tốc độ ghi: 1750MB/s

Kích thước : M.2 2280

Chuẩn giao tiếp: PCIe 4.0 x4 

Dung lượng: 250GB

Tốc đọc tối đa: Up to 5150MB/s

Tốc độ ghi tối đa: Up to 4900MB/s

Dung lượng: 1TB

Kích thước: 2.5"

Kết nối: SATA 3

NAND: 3D-NAND

Tốc độ đọc/ghi (tối đa): 550MB/s | 500MB/s

Kích thước Kích thước

Kích thước NVMe PCIe 4.0

Các mức dung lượng2 512GB, 1024GB, 2048GB, 4096GB

Bộ điều khiển Phison E18

NAND 3D TLC

Dung lượng: 2TB

Kích thước: 2.5"

Chuẩn giao tiếp: SATA 6Gb/s

Tốc độ đọc: up to 550MB/s

Tốc độ ghi: up to 500MB/s

TBW: 2000 TB

Dung lượng: 2TB

Giao diện: PCIe Gen4x4, NVMe 1.4

Kích thước: M.2 2280

Tốc độ đọc / ghi tuần tự tối đa: 7400 / 7000 MB/s

Tốc độ đọc / ghi ngẫu nhiên tối đa (Random 4K): 1,000K / 1,000K

NAND: 3D NAND | DRAM Cache: 2GB DDR4

Độ bền (TBW): 1400TB

Dung lượng: 480GB

Chuẩn giao tiếp: SATA III (6Gb/s) | Kích thước: 2.5 inch

Tốc độ đọc / ghi tuần tự: Lên đến 550 / 520MB/s

Tốc độ đọc / ghi ngẫu nhiên (Random 4K): Lên đến 98k/29k IOPs

NAND: Samsung V-NAND TLC

Độ bền (TBW): 876 TB

Hỗ trợ TRIM và SMART. Hỗ trợ bảo mật mã hoá AES 256-bit (Class 0)

Hoạt động êm ái và chống rung

Phù hợp cho các máy tính doanh nghiệp, máy chủ, máy trạm

Dung lượng: 2TB

Giao diện : SATA III 6Gb/s

Kích thước: 2.5 inch

Tốc độ đọc tối đa : 550MB/s

Tốc độ ghi tối đa : 500MB/s

Độ bền: 1000TBW