Tìm kiếm: - Có 9 sản phẩm

Chuẩn SSD: M.2 PCIe Gen4.0 x4 NVMe 2.0

Tốc độ đọc: 7450 MB/s

Tốc độ ghi: 6900 MB/s

Bảo hành 5 năm

Chuẩn giao tiếp: NVMe PCIe Gen4x4

Kích thước: M.2 2280

Tốc độ đọc: up to 7000 MB/giây, Ghi tối đa 6000 MB/giây

NAND: 3D TLC, Bộ điều khiển Phison E18

TBW: 800TBW

Dung lượng: 1TB

Giao diện: NVMe 2.0, PCIe Gen 4x4

Kích thước: M.2 2230 S3-M

NAND Flash: SANDISK TLC 3D CBA NAND

Tốc độ đọc / ghi tuần tự: Lên đến 7250 / 6900 MB/s

Tốc độ đọc / ghi ngẫu nhiên (4KB): Lên đến 1000K / 1300K IOPS

DRAM Cache: Không, sử dụng công nghệ Host Memory Buffer

TBW: 600 TB

Phần mềm hỗ trợ: SANDISK Dashboard, Acronis True Image

Dung lượng: 1TB

Giao diện: NVMe 2.0, PCIe Gen 4x4

Kích thước: M.2 2280 S3-M

NAND Flash: SANDISK TLC 3D CBA NAND

Tốc độ đọc / ghi tuần tự: Lên đến 7250 / 6900 MB/s

Tốc độ đọc / ghi ngẫu nhiên (4KB): Lên đến 1000K / 1400K IOPS

DRAM Cache: Không, sử dụng công nghệ Host Memory Buffer

TBW: 600 TB

Phần mềm hỗ trợ: SANDISK Dashboard, Acronis True Image

Dung lượng: 2TB

Giao diện: NVMe 1.4, PCIe Gen4x4

Tốc độ đọc/ghi tuần tự: Lên đến 7000/6000 MB/s

Tốc độ đọc/ghi ngẫu nhiên: Lên đến 800K/600K IOPS

NAND: 3D NAND

TBW: 1200 TB

Dung lượng: 1TB

Kích thước: M.2 2280

Giao diện: PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0

Tốc độ đọc / ghi tuần tự tối đa: 14.700 / 13.300 MB/s

Tốc độ đọc / ghi ngẫu nhiên tối đa (4K): 1.850K / 2.600K IOPs

NAND: Samsung V-NAND TLC | Bộ nhớ Cache: Samsung 1GB Low Power DDR4X SDRAM

Độ bền (TBW): 600 TB

Phần mềm quản lý: Samsung Magician

Dung lượng: 2 TB

Kích thước: M.2 2280

Giao diện: NVMe PCIe Gen4x4

Tốc độ đọc/ghi tuần tự tối đa: Lên đến 6.000/4.000 MB/s

NAND: 3D

TBW: 640 TB. Tuổi thọ trung bình: 2.000.000 giờ

Dung lượng: 1TB

Kích thước: 2.5 inch

Chuẩn giao tiếp: SATA III 6Gb/s

Tốc độ đọc: 560 Mb/s

Tốc độ ghi: 530 Mb/s

Dung lượng: 1TB

Kích thước: 2.5"

Kết nối: SATA 3

NAND: 3D-NAND

Tốc độ đọc/ghi (tối đa): 550MB/s | 500MB/s